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第一章 概论 1

1.1 硅及其氧化物的性质 2

1.2 平面工艺前硅材料的关键性发明创造 5

1.3 平面工艺后的发展 10

1.4 硅材料与器件的关系 28

第二章 晶体结构 43

2.1 硅原子 43

2.2 硅晶体中的化学键 44

2.3 硅的晶体结构 47

2.4 晶列和晶向指数 50

2.5 晶面和晶面指数 51

2.6 晶面（晶向）间的夹角 54

2.7 面间距与面密度 54

2.8 硅点阵中的间隙位置 58

2.9 极射赤面投影 58

2.10 晶体的对称性 62

2.11 晶体的各向异性 73

2.12 倒格子 78

2.13 能带 79

第三章 相图 80

3.1 相律 86

3.2 单元相图 88

3.3 固态无限互溶的二元相图 89

3.4 杠杆定则 91

3.5 二元共晶相图 92

3.6 包晶反应的二元相图 99

3.7 同成分转变 100

3.8 固溶度 111

第四章 晶体生长 115

4.1 晶核的形成与长大 115

4.2 生长方法概述 127

4.3 CZ法 129

4.4 FZ法 158

4.5 掺杂 172

4.6 生长界面 178

4.7 无位错生长 194

4.8 新的晶体生长方法 196

第五章 分凝 212

5.1 分凝系数 212

5.2 分凝热力学 215

5.3 稳态分凝 218

5.4 BPS关系 219

5.5 直拉晶体中杂质的宏区轴向分布 223

5.6 区熔晶体中杂质的宏区轴向分布 231

5.7 非稳态分凝 249

5.8 非稳态分凝的实验技术 252

5.9 旋转条纹 253

5.10 非旋转条纹 259

5.11 （111）小面效应 260

第六章 中子嬗变掺杂 268

6.1 原理与历史 268

6.2 过程控制 272

6.3 放射性 277

6.4 NTD硅的电学与结构特性 280

第七章 外延 284

7.1 处延的分类 285

7.2 化学过程 287

7.3 质量输运 293

7.4 掺杂 299

7.5 自掺杂 304

7.6 固相外扩散 315

7.7 埋层 320

7.8 外延缺陷 325

7.9 气相腐蚀 327

7.10 外延设备 329

7.11 底压外延 333

7.12 分子束外延 338

7.13 异质外延 345

第八章 杂质的行为 360

8.1 浅能级杂质 360

8.2 深能级杂质 370

8.3 杂质的固溶度与分凝系数的关系 381

8.4 硅中氧的基本性质 382

8.5 氧施主 388

8.6 氧沉淀 398

8.7 碳与氮 411

第九章 晶体缺陷 430

9.1 位错 431

9.2 旋涡缺陷 487

9.3 工艺诱生缺陷 497

9.4 吸杂 516