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第一章 引言 1

1.1微波功率器件的研究背景 1

1.2硅双极微波功率器件的发展 6

1.3国内外研究现状 10

1.4本书内容来源与安排 12

第二章 双层多晶硅微波功率管的横向参数与纵向参数设计 16

2.1本章概要 16

2.2硅双极微波功率晶体管的工作原理及主要参数 16

2.3器件指标 21

2.4器件设计 22

2.4.1外延材料的选择 22

2.4.2器件纵向参数设计 24

2.4.3器件横向参数设计 25

2.5微波功率器件的版图设计 28

2.5.1器件版图的结构 28

2.5.2覆盖式与梳状版图结构图形优值比较 36

2.5.3光刻掩模版的编号、名称、次序及最小尺寸 38

2.5.4器件的测试结构 39

2.6本章小结 39

第三章 器件特性的模拟分析 42

3.1本章概要 42

3.2双层多晶硅微波功率管的电学特性模拟 42

3.3提升器件击穿电压的槽终端技术 50

3.3.1器件槽终端技术的发展 52

3.3.2槽深对击穿电压的影响 54

3.3.3槽宽对击穿电压的影响 56

3.3.4槽中填充物对击穿电压的影响 59

3.3.5深槽终端技术与其他终端技术的比较 61

3.4功率管多子胞技术 62

3.4.1器件的三维热电耦合模型 64

3.4.2器件的发射极布局 69

3.4.3结果的分析与讨论 70

3.5本章小结 79

第四章 镍硅化物薄膜的热稳定性及其应用研究 81

4.1本章摘要 81

4.2硅化物的发展过程 82

4.3 NiSi的热稳定性的研究 88

4.4掺Pt, Mo, W, Zr和Ta对NiSi薄膜热稳定性的改善 92

4.4.1掺Pt对NiSi薄膜热稳定性的改善 92

4.4.2掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善 98

4.4.3掺w对NiSi薄膜热稳定性的改善 101

4.4.4掺Zr对NiSi薄膜热稳定性的改善 107

4.4.5掺Ta对NiSi薄膜热稳定性的改善 113

4.5镍硅化物热稳定性的理论研究 118

4.6 Ni（M）Si/Si肖特基器件的应用研究 122

4.6.1 Ni（M）Si/Si肖特基器件的设计 123

4.6.2肖特基器件的工艺流程 125

4.6.3 NiSi/Si（Cap Ti）肖特基器件的电学特性 126

4.6.4 Ni（Pt）Si/Si, Ni（Mo）Si/Si, Ni（W）Si/Si,Ni（Zr） Si/Si和Ni（Ta） Si/Si器件的电学特性研究 128

4.7 NiSi与Ni（Pt）Si, Ni（Mo）Si, Ni（W）Si, Ni（Zr）Si 和Ni（Ta） Si热稳定性的比较 138

4.8本章小结 140

第五章 关键工艺技术的研究 142

5.1本章概要 142

5.2硅深槽隔离技术研究 142

5.3外基区的形成以及侧墙-发射极的形成 147

5.3.1外基区的形成 147

5.3.2基区侧墙的形成 149

5.3.3发射极的形成 151

5.4自对准钴硅化物引线技术 155

5.5本章小结 156

第六章 器件制造流程 157

6.1本章概要 157

6.2器件的结构特点和工艺特点 157

6.3器件的工艺流程 157

6.4工艺流片中的注意事项 162

6.5本章小结 164

第七章 微波功率器件的测试与分析 165

7.1本章概要 165

7.2器件的直流参数测试 165

7.3深槽击穿特性的合格率测试 171

7.4器件的热性能测试 172

7.5器件的微波特性测试结果 176

7.6本章小结 177

第八章 射频/微波功率器件的最新发展 178

8.1本章概要 178

8.2微波功率器件的主要领域 178

8.2.1无线通信领域 178

8.2.2军用电子系统和雷达 180

8.2.3医疗电子 180

8.3 RF-LDMOS技术的发展 180

8.3.1 RF - LDMOS的关键参数 183

8.3.2 RF - LDMOS的新结构器件 184

8.4 AlGaN/GaN HEMT毫米波技术 189

8.4.1 AlGaN/GaN HEMT高电子迁移率器件毫米波功率技术的起源 189

8.4.2 AlGaN/GaN HEMT高电子迁移率器件毫米波功率技术的发展 191

8.5本章小结 195

参考文献 196