硅锗单晶的制备PDF电子书下载

目录 1

前言 1

引言 1

第一章　直拉法生长硅单晶 8

第一节　单晶生长 8

第二节　杂质在单晶中的分布 11

第三节　设备要求 14

第四节　硅合金的制备 19

第五节　工艺过程 22

第六节　关于参数的讨论 32

第七节　提高重掺锑单晶成品率的讨论 40

第八节　氩气、低真空和高真空拉单晶比较 46

第二章　直拉法生长锗单晶 48

第一节　概述 48

第二节　双层坩埚中拉制锗单晶 50

第三节　锗合金的制备 54

第四节　单晶中杂质的作用及电阻率的均匀性 58

第五节　单晶中的位错及减少的方法 63

第三章　悬浮真空区熔法生长硅单晶 69

第一节 区熔和硅的悬浮区熔 69

第二节　硅的悬浮真空区熔过程 76

第三节　怎样获得单晶 92

第四节　如何控制单晶的质量 95

第五节　对设备的要求 123

第四章　物理测试 131

第一节　单晶体的检验 132

第二节　半导体材料导电类型的测量 138

第三节　电阻率测量 142

第四节　非平衡少数载流子寿命测量 153

第五节　单晶体中位错的观察 178

第六节　霍尔效应的简单介绍 186

附录一　锗、硅的一般性质 198

附录 198

附录二　锗、硅的半导体性质 199

附录三　锗和硅中的杂质 200

附录四　硅单晶掺杂极限 203

附录五　控制单晶的一些辅助材料 203

附录六　某些物质的熔点和沸点 204

附录七　获得低温的常用方法 205

附录八 热电偶种类及使用的温度范围 205

附录九　常用物理常数 206

附录十　锗、硅单晶中的杂质浓度N与电阻率ρ的换算 206