化学气相淀积与无机新材料PDF电子书下载

第一章 一般化学原理和技术 1

一、热解反应 2

二、化学合成反应 5

三、化学输运反应 7

四、技术 13

1．开管气流法 13

2．封管法 17

3．近间距法 19

4．热丝法 20

五、源物质 21

1．气态源 21

2．液态源 22

3．固态源或低蒸气压液态源 23

第二章 气态物种的输运 25

一、气体的一些性质 25

1．气态方程 25

2．输运性质 26

二、开管气流系统中的质量输运 31

1．水平反应管中的气流状态 31

2．气态组分向生长表面的转移 35

三、封管系统中的质量输运 39

1．系统总压和输运机制 40

2．反应速率 42

3．输运速率的计算 43

1．热力学分析的前提和步骤 49

第三章 化学气相淀积系统的热力学 49

一、一般考虑 49

2．热力学资料 54

3．固体的活度 55

二、开管气流系统 56

三、封管系统 64

四、实验研究技术 67

第四章 淀积过程动力学 72

一、化学气相淀积过程动力学概述 72

二、淀积速率的实验研究 75

三、实验参量对过程控制机制的作用 78

1．淀积温度 78

2．气体流速 83

3．结晶学取向 85

4．衬底的几何取向 87

5．反应剂分压 87

6．表面积 88

四、气－固反应动力学和生长机理 88

1．动力学分析的一般考虑 89

2．表面气－固反应动力学模型 90

五、实际体系举例 98

1．GaAs的外延生长 98

2．GaN的淀积 102

1．固体的表面形貌 107

一、固体表面的结构状况[93] 107

第五章 表面过程机理 107

2．表面晶体结构 109

3．气体分子在表面上的吸附 112

二、成核及其控制 114

1．成核现象 114

2．气相过饱和度和均相成核 116

3．异相成核及其影响因素 120

4．成核控制的实验方法 123

三、表面过程机理 127

1．最大凝聚或气化速率 127

2．表面迁徙 128

3．晶体生长模型 129

4．气－液－固（VLS）生长机制 135

第六章 影响淀积层质量的因素 140

一、淀积参数对淀积层质量的影响 140

1．反应混合物的供应 140

2．淀积温度 143

3．衬底材料 146

4．系统内总压和气体总流速 148

5．反应系统装置的因素 149

6．源材料的纯度 150

二、表面形貌和生长动力学 150

三、衬底材料和外延层的结构完善性 157

1．外延关系 157

2．线位错 159

3．取向缺陷 162

4．双晶和堆垛缺陷 162

5．点缺陷 163

6．结面状况 163

7．弯曲和纹裂 164

四、化学气相淀积中的掺杂行为 164

1．概述 164

2．掺杂过程的热力学 166

3．掺杂生长的动力学和机理 173

第七章 化学气相淀积和新材料、新技术 178

一、化学气相淀积和无机新材料 178

1．物质的制备和纯化 178

2．制备无机新晶体 181

3．单晶薄膜的外延生长 189

4．晶须的制备 191

5．多晶材料膜 194

6．玻璃态或无定形材料 202

二、化学气相淀积和新技术 202

1．微电子学工艺 203

2．半导体光电技术 203

3．太阳能利用 207

4．光纤通讯[217] 208

5．超电导技术 212

6．保护涂层 213

参考文献 217