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目录 1

实验1 半导体晶面的光学定向 1

实验2 半导体晶体阻缺陷显示 6

实验3 四探针法测量半导体电阻率和薄层电阻 13

实验4 霍尔系数和电阻率的测量 21

实验5 高频光电导衰退法测量硅（锗）单晶少子寿命 28

实验6 半导体表面空间电荷区少子产生寿命和表面复合速度的测量 35

实验7 半导体本征光电导的光谱分布 41

实验8 半导体光吸收系数的光谱分布 46

实验9 pn结光生伏特效应光谱特性 51

实验10 椭偏法测量薄膜厚度、折射率和固体复折射率 58

实验11 椭偏法测量半导体材料复折射率和光学能隙 69

实验12 表面光电压法测量硅中少子扩散长度 78

实验13 双脉冲法测量锗中少子扩散长度和迁移率 84

实验14 热激电流法测量MOS结构电荷和电子能态 89

实验15 准静态法测硅-二氧化硅界面态密度分布 96

实验16 深能级瞬态谱法测硅中深能级中心 102

实验17 非晶硅薄膜激活能的测量 107

实验18 MOS结构高频C-V特性测量 112

实验19 三角波电压扫描法测量SiO2中可动离子密度 118

实验20 肖特基C-V法测杂质浓度分布 124

实验21 二次谐波法测量硅片纵向杂质浓度分布 128

实验22 扩展电阻法测量硅片纵向杂质分布和结深 133

实验23 pn结结深的测量 138

实验24 金属-半导体接触势垒高度的测量 143

实验25 用图示仪测量双极型晶体管的直流参数 149

实验26 晶体管特征频率的测量 155

实验27 晶体管基极电阻的测量 159

实验28 晶体管功率增益和噪声系数的测量 163

实验29 晶体管开关时间的测量 169

实验30 晶体管稳态热阻的测量 174

实验31 晶体管瞬态热阻的测量 179

实验32 雪崩渡越时间二极管的效率和串联电阻的测量 186

实验33 变容二极管的Q值及非线性系数γ的测量 192

实验34 MOSEFT交、直流参数的测试 198

实验35 双极型运算放大器参数的测试 206

实验36 数字MOSIC功能和参数测试 213

实验37 双极型晶体管模型参数的提取 222

实验38 MOSFET模型参数的提取 233

实验39 数字电路逻辑模拟 244

实验40 晶体管模拟程序——SEDAN的编程与上机 252

实验41 集成电路模拟程序——SPICE的编程与上机 260

实验42 半导体生产工艺模拟程序——SUPREM的编程与上机 270

实验43 微电子测试图形技术 276

实验44 微机集成电路版图编辑 283

实验45 芯片解剖 290

附录一 常用物理常数 298

附录二 硅、锗、砷化镓的主要性质 298