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目录 1

第一章 固体中的能带 1

1-1带电粒子 1

1-2场强、电位、能量 2

1-3能量的电子伏特（eV）单位 5

1-4原子的性质 6

1-5原子的能级 8

1-6元素的电子结构 12

1-7晶体的能带理论 15

1-8绝缘体、半导体和金属 17

复习题 19

参考书刊 20

习题 20

第二章 半导体中的迁移现象 25

2-1迁移率和导电率 25

2-2本征半导体中的电子和空穴 28

2-3施主杂质和受主杂质 31

2-4半导体中的电荷密度 33

2-5锗和硅的电性质 34

2-6霍耳效应 37

2-7导电率的调制 39

2-8电荷的生成和复合 42

2-9扩散 45

2-10连续性方程 47

2-11注入的少数载流子 48

2-12递变掺杂的半导体内的电位变化 51

2-13小结 54

复习题 55

参考书刊 56

习题 57

3-1开路的pn结 60

第三章 结型二极管的特性 60

3-2作为整流器的pn结 63

3-3 pn结二极管的各个电流分量 66

3-4伏安特性曲线 69

3-5伏安特性与温度的关系 73

3-6二极管的电阻 74

3-7空间电荷层电容（或过渡层电容）CT 75

3-8二极管的电荷控制描述式 80

3-9扩散电容 82

3-10结型二极管的开关时间 84

3-11击穿二极管 87

3-12隧道二极管 90

3-13半导体光电二极管 93

3-14光伏特效应 95

3-15发光二极管 97

复习题 98

参考书刊 100

习题 101

第四章 二极管电路 107

4-1作为电路元件的二极管 107

4-2负载线的概念 109

4-3二极管的分段线性化模型 110

4-4削波（限幅）电路 114

4-5两个不同电平处的削波作用 117

4-6比较器 120

4-7取样门 121

4-8整流器 124

4-9其它的全波整流电路 130

4-10电容滤波器 131

4-11其它的二极管电路 136

复习题 138

习题 140

参考书刊 140

第五章 晶体管的特性曲线 149

5-1结型晶体管 149

5-2晶体管的各个电流分量 152

5-3作为放大器的晶体管 155

5-4晶体管的构造 156

5-5共基极电路 158

5-6共发射极电路 163

5-7共发射极的截止区 167

5-8共发射极的饱和区 169

5-9晶体管结电压的典型数值 172

5-10共发射极电流增益 177

5-11共集电极电路 178

5-12晶体管特性曲线的解析表示式 179

5-13最高额定电压 183

5-14光电晶体管 186

复习题 187

参考书刊 189

习题 190

第六章 数字电路 198

6-1数字（二进制）系统的运用 198

6-2“或”门 201

6-3“与”门 204

6-4“非”电路或“反相器”电路 206

6-5晶体管的开关时间 210

6-6“禁止”（选通）运算 213

6-7异或电路 214

6-8狄·莫根定律 216

6-9“与非”及“或非”二极管——晶体管逻辑（DTL）门 219

6-10改进型（集成电路型）DTL门 224

6-11高阈逻辑（HTL）门 230

6-12晶体管-晶体管逻辑（TTL）门 231

6-13输出级 233

6-14电阻-晶体管逻辑（RTL）和直接耦合晶体管逻辑（DGTL） 236

6-15各种逻辑族的比较 240

复习题 242

参考书刊 244

习题 244

第七章 集成电路的制造和特性 257

7-1集成电路的工艺 257

7-2基本的单片集成电路 258

7-3外延生长 263

7-4掩模和刻蚀 264

7-5杂质的扩散 265

7-6单片电路中的晶体管 270

7-7单片二极管 276

7-8集成电阻 278

7-9集成电容和电感 281

7-10集成电路的布局 283

7-11其它的隔离方法 287

7-12大规模集成（LSI）和中规模集成（MSI） 290

7-13金属-半导体接触 291

复习题 293

参考书刊 295

习题 296

第八章 晶体管的低频运用 301

8-1共发射极接法的图解分析 301

8-2二端口器件及h参数模型 305

8-3晶体管的h参数模型 307

8-4h参数 309

8-5晶体管三种接法的h参数变换公式 312

8-6用h参数分析晶体管放大电路 314

8-7戴维宁定理和诺顿定理及其推论 319

8-8射极跟随器 321

8-9晶体管放大器三种接法的比较 322

8-10晶体管电路的线性分析 325

8-11密勒定理及其对偶定理 325

8-12晶体管级联放大器 329

8-13简化的共发射极h参数模型 334

8-14共集电极接法的简化计算 336

8-15有发射极电阻的共发射极放大器 340

8-16高输入电阻的晶体管电路 345

复习题 351

参考书刊 353

习题 354

第九章 晶体管的偏置和热稳定性 368

9-1工作点 368

9-2偏置的稳定性 371

9-3自偏置或发射极偏置 373

9-4对Ico、VBE和β变化采取的稳定措施 376

9-5关于集电极电流稳定的一般说明 382

9-6偏置的补偿 388

9-7线性集成电路的偏置技术 390

9-8热敏电阻型和感温电阻型补偿 392

9-9热失控 393

9-10热稳定 395

复习题 398

参考书刊 399

习题 399

第十章 场效应晶体管 405

10-1结型场效应晶体管 406

10-2夹断电压VP 410

10-3结型场效应晶体管的伏安特性 411

10-4场效应晶体管的小信号模型 414

10-5金属－氧化物－半导体场效应晶体管（MOSFET） 418

10-6MOSFET数字电路 425

10-7低频共源和共漏放大器 430

10-8场效应晶体管的偏置 433

10-9场效应晶体管作为压变电阻（VVR） 438

10-10高频共源放大器 440

10-11高频共漏极放大器 444

复习题 445

参考书刊 446

习题 447

附录A 458

附录B 459