相变存储器与应用基础PDF电子书下载

第1章 绪论 1

1.1 半导体存储器简介 1

1.2 相变存储器综述 6

1.3 相变存储器研究现状 9

1.3.1 相变存储器材料研究 9

1.3.2 相变存储器结构研究 11

1.3.3 相变存储器选通器件研究 14

1.3.4 相变存储器芯片研究 19

参考文献 21

第2章 新型相变材料与工程化 25

2.1 AlxSb2Te3相变材料 25

2.1.1 AlxSb2Te3材料的制备和表征 25

2.1.2 AlxSb2Te3器件的制备和表征 28

2.2 AlxSb3Te相变材料 29

2.2.1 AlxSb3Te材料的制备和表征 29

2.2.2 AlxSb3Te器件的制备和表征 34

2.3 Al2Te3-Sb2Te3体系相变材料 35

2.3.1 A12Te3,Sb2Te3和A12Sb2Te6材料的制备和表征 36

2.3.2 A12Te3,Sb2Te3和A12Sb2Te6器件的制备和表征 38

2.4 快速TiSbTe相变材料 39

2.4.1 TiSbTe材料的制备与表征 40

2.4.2 TiSbTe器件的制备与表征 43

2.5 Si2Sb2Tex系列相变材料 44

2.6 SiSbTe相变材料的工程化 50

2.6.1 SiSbTe材料的制备与表征 51

2.6.2 SiSbTe器件的制备和表征 59

参考文献 61

第3章 相变材料结构与相变机理 66

3.1 硅掺杂Sb2Te3相变材料第一性原理计算 66

3.1.1 SixSb2Te3相变材料的第一性原理计算 66

3.1.2 Si3Sb2Te3相变材料的分子动力学模拟 69

3.2 低浓度铝掺杂Sb2Te3相变材料的从头算研究 73

3.2.1 铝掺杂锑碲相变材料的特点 74

3.2.2 铝掺杂锑碲相变材料的第一性原理计算研究 74

3.2.3 Al-Sb2Te3相变材料的分子动力学模拟与结果讨论 79

3.3 微观结构与相变行为研究 84

3.3.1 研究方法 85

3.3.2 相变存储材料Ge2Sb2Te5 89

3.3.3 相变存储材料Si2Sb2Te5 92

参考文献 101

第4章 二极管阵列器件及其高密度相变存储器 105

4.1 双沟道外延二极管阵列器件设计 105

4.1.1 相变存储器工作原理 106

4.1.2 二极管阵列器件设计 106

4.1.3 二极管阵列器件性能分析 109

4.2 二极管阵列器件及相变存储器芯片 113

4.2.1 双沟道外延二极管阵列器件 114

4.2.2 二极管选通的相变存储器阵列单元 123

4.2.3 二极管选通的相变存储器芯片 125

参考文献 130

第5章 相变存储器芯片设计 132

5.1 相变存储器芯片的系统框架 132

5.2 相变存储单元及阵列设计 133

5.3 控制逻辑设计 135

5.4 译码电路 136

5.5 输入输出电路 139

5.6 写模块电路 140

5.7 电流脉冲宽度可调电路 146

5.8 带隙基准电路 149

5.9 读出电路 153

5.10 预读校验写入算法 155

5.11 PCRAM芯片测试结果 158

参考文献 162

第6章 相变存储器测试与应用 163

6.1 相变存储器的测试概述 163

6.2 相变材料测试 163

6.3 相变存储器件测试 164

6.3.1 测试系统的软硬件条件 164

6.3.2 相变存储器初始化操作 165

6.3.3 非累积性擦操作测试方法 167

6.4 分立相变器件的标准测试流程 170

6.4.1 分立相变器件的标准测试流程 170

6.4.2 基于标准化自动测试流程的数据分析算法 171

6.5 相变存储阵列及存储芯片测试 173

6.5.1 芯片级测试系统硬件简介 174

6.5.2 小容量相变存储阵列的电流驱动方法 177

6.5.3 基于1Kb的相变存储阵列测试系统 179

6.6 兆位级相变存储器芯片测试方法研究 188

6.7 相变存储器的应用 192

参考文献 198

索引 200