半导体器件概论PDF电子书下载

第一章 绪论 1

§1-1　什么是半导体 1

目录 1

§1-2　常见的半导体材料及其主要用途 2

§1-3　认识和应用半导体的历史 3

§1-4　半导体材料的提纯与单晶生长 7

建议阅读材料 9

第二章 半导体的模型 10

§2-1　半导体的共价结合 10

§2-3　杂质的作用 13

§2-4　能带的形成 14

§2-5　能带模型中的电子与空穴 16

§2-6　杂质能级 18

§2-7　复合中心 20

§2-8　多子、少子浓度间的重要关系 20

§2-9　金属、半导体、绝缘体的区别 22

练习题与思考题 22

建议阅读材料 23

第三章 半导体中的载流子 24

§3-1　漂移电流 24

§3-2　迁移率 25

§3-3　电阻率和电导率 25

§3-4　影响迁移率的因素 27

§3-5　迁移率与电场强度的关系 30

§3-6　载流子的扩散与扩散电流 30

§3-7　爱因斯坦关系 31

§3-8　漂移与扩散同时存在的情形 32

§3-9　计算载流子浓度的基本方法 33

§3-10　函数S（E）和（E） 34

§3-11　电子浓度与空穴浓度的计算 37

§3-12　费米能级的位置 39

§3-13　关于费米能级的若干说明 43

练习题与思考题 44

建议阅读材料 45

第四章　P-N结 46

§4-1　P-N结的电流-电压关系及其定性解释 46

§4-2 P-N结的能带图及内建电势差的计算 48

§4-3 P-N结的电流-电压关系的定量分析 49

§4-4 少子的复合与扩散 52

§4-5 P-N结的扩散电流 56

§4-6 对理想情况的几点修正 59

§4-7 P-N结的电容效应 61

§4-8 P-N结的击穿 67

练习题与思考题 70

建议阅读材料 72

附录一 关于小注入条件与基本假设①的关系 72

附录二 对非平衡状态下仍使用玻耳兹曼分布函数的说明 73

第五章 金属与半导体的接触 75

§5-1 金-半接触的接触电势差——肖特基势垒的形成 75

§5-2 金-半接触的整流特性 78

§5-3 金-半接触的少子注入 80

§5-4 欧姆接触 81

练习题与思考题 82

建议阅读材料 82

第六章 结型晶体管 83

§6-1 晶体管的描述 83

§6-2 与晶体管内部载流子的传输过程有关的几个参数 85

§6-3 理想晶体管的各端电流与外加极间电压的关系 88

§6-4 Ebers-Moll模型 94

§6-5 晶体管的特性曲线 96

§6-6 晶体管的运用特性 100

练习题与思考题 109

建议阅读材料 109

第七章 场效应晶体管 110

§7-1 结型场效应晶体管的基本结构与工作原理 110

§7-2 源-漏间电流-电压关系的定性说明 111

§2-2　电子与空穴本征激发 112

§7-3 结型场效应晶体管的特性曲线族与参数 114

§7-4 MIS结构中的电场效应——电场对半导体表面的影响 115

§7-5 电场效应的应用——MOS场效应晶体管工作原理的说明 119

§7-6 MOS场效应晶体管的特性及参数 121

§7-7 增强型与耗尽型MOS场效应晶体管 123

练习题与思考题 124

建议阅读材料 125

§8-1 双极型逻辑集成电路 126

第八章 半导体集成电路 126

§8-2 集成电路的设计 128

§8-3 MOS集成电路 130

建议阅读材料 132

附录 肖特基势垒二极管 132

第九章 平面工艺简介 133

§9-1 平面工艺简介 133

§9-2 TTL电路的典型工艺流程 136

§9-3 MOS集成电路的工艺流程 137

建议阅读材料 138

第一部分 功率器件 140

§1 可控硅整流器 140

补充材料 其他半导体器件简介 140

§2 可控硅整流器的工作原理 141

§3 可控硅整流器应用说明 142

§4 单结晶体管 143

第二部分 微波器件 146

§1 雪崩二极管 146

§2 体效应二极管 148

第三部分 光电器件 153

§1 光电导体 153

§2 光照下的P-N结 154

§3 半导体发光现象 157

第四部分 敏感器件 158

§1 磁敏器件 158

§2 热敏器件 159