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1.1 晶体的基本概念 1

1.2 空间点阵 1

第一章 晶体结构 1

1.3 米勒指数 3

1.4 密堆积与配位数 5

一、密堆积 5

二、配位数 7

三、液相生长系统中的相变驱动力 （1 8

1.5 元素的晶体结构 8

四、熔体生长系统中的相变驱动力 （1 8

1.6 固溶体和居间相 9

1.7 晶格缺陷 13

一、相变驱动力的定义 16

2.1 相变驱动力 16

第二章 成核理论 16

二、汽相生长系统中的相变驱动力 17

2.2 弯曲界面的平衡与相变位垒 19

一、弯曲界面的力学平衡——界面压力 19

二、弯曲界面的相平衡 21

2.3 均匀成核 25

一、晶核的形成能与临界尺寸 25

三、界面能位垒 25

二、复相起伏和晶核的成核率 28

2.4 非均匀成核 30

一、相界交接处的接触角 31

二、催化作用——降低成核的表面能位垒 32

三、催化剂颗粒度对成核率的影响 33

四、提高催化剂效率的途径——降低γcs 34

五、晶体生长系统中成核率的控制 35

第三章 界面的平衡结构 36

3.1 晶体的平衡形状 36

一、表面能极图与晶体的平衡形状 36

一、划分界面类型的标准 38

二、奇异面、非奇异面和邻位面 38

3.2 生长界面结构的基本类型 38

二、光滑界面与粗糙界面 39

3.3 邻位面与台阶的平衡结构 40

一、邻位面的台阶化 40

二、邻位面台阶化的论证 40

三、台阶的平衡结构 42

四、台阶取向对台阶上扭折密度的贡献 43

3.4 界面相变熵与界面的平衡结构 44

一、光滑界面和粗糙界面的理论计算——杰克逊界面理论 44

7.6 膜厚的测量与监控 （1 45

一、称重法 （ 1 45

三、界面熔化熵 49

二、界面相变熵与生长系统 49

四、界面相变熵与环境相 50

五、温度对界面粗糙度的影响 52

3.5 扩散界面模型——特姆金（Temkin）模型 53

第八章 陶瓷材料的制备 53

8.1 引言 （1 53

一、模型的基本假设 54

二、相变过程中自由能的变化计算 54

三、结果讨论 56

一、界面上分子的位能 58

4.1 邻位面的生长——台阶动力学与运动学 58

第四章 晶体生长动力学 58

二、吸附分子的面扩散 59

三、台阶动力学 61

四、台阶运动学 63

五、邻位面生长动力学 65

4.2 光滑界面的生长 66

一、二维成核生长机制 66

二、位错生长机制 69

4.3 粗糙界面的生长 73

4.4 晶体生长形态学 74

一、确定晶体生长过程中形态的方法 75

二、影响晶体形态的因素 77

三、小面生长 77

第五章 相平衡状态图 79

5.1 相平衡与相图 79

一、相图 79

二、相平衡 79

三、系统中的相平衡条件 80

四、相律 82

5.2 二元系相图 82

一、互溶体系 82

三、包晶体系 84

二、共晶体系 84

四、形成同成分熔化的化合物体系 85

五、液态分层体系 86

5.3 三元系相图 86

二、三元同形系统的立体相图 87

一、成份三角形 87

三、等温截面 88

四、垂直截面图 89

二、配料成份的选择 90

一、晶体生长方法的选择 90

5.4 相图与晶体生长 90

四、相图形态与组分过冷 92

三、热处理工艺的确定 92

6.1 汽相生长 93

一、汽相生长原理 93

二、汽相生长中的输运过程 93

第六章 单晶材料的制备 93

三、汽相生长晶体的质量 95

6.2 从溶液中生长晶体 96

一、溶解度、溶解度曲线和晶相 96

二、从溶液中生长晶体的方法 99

一、水热溶液生长法 101

二、水晶的水热生长 101

6.3 水热法 101

三、水热法的生长装置 102

四、水热法的优点缺点 103

6.4 熔盐法 104

一、生长机理 104

三、设备及操作方法 105

二、助熔剂的选择 105

四、熔盐法生长的优缺点 106

6.5 从熔体中生长晶体 106

一、生长方法和特点 106

二、提拉法生长晶体的有关工艺 111

三、提拉法生长晶体的主要设备 112

第七章 薄膜材料的制备 113

一、成核阶段 113

7.1 薄膜的形成机理 113

二、成核的毛细作用理论 114

三、影响成核过程的因素 116

四、岛的生长与接合 117

7.2 物理气相沉积（PVD） 118

一、真空蒸发镀膜 118

二、溅射镀膜 126

三、离子镀 129

7.3 化学气相沉积（LCVD） 132

一、普通CVD法 132

二、等离子体化学气相沉积（PECVD）法 135

三、光CVD法 136

7.4 化学溶液镀膜法 138

一、化学反应沉积镀膜法 138

二、阳极氧化法 140

三、电镀 141

7.5 液相外延制膜法 143

一、液相外延的原理 143

二、液相外延生长系统 143

二、电学方法 146

三、光学方法 148

四、专用厚度监控法 152

8.2 陶瓷的组成相及其结构 153

一、陶瓷的晶体结构 154

二、玻璃相结构 159

三、气相 162

一、配料 163

8.3 陶瓷的制备工艺 163

三、烧成 164

二、生坯的制备 164

8.4 装置瓷 166

一、离铝瓷 166

二、镁质瓷 168

8.5 电容器陶瓷 169

一、非铁电电容器陶瓷 170

二、铁电电容器陶瓷 175

三、反铁电电容器陶瓷 175

一、压电陶瓷材料 176

8.6 压电陶瓷 176

二、压电陶瓷材料的生产工艺 177

8.7 铁氧体 179

一、铁氧体的组成特性和用途 179

二、铁氧体的制备工艺 180

三、单晶与薄膜铁氧体 180

8.8 高温陶瓷材料 181

一、氧化物陶瓷 182

二、透明氧化物陶瓷 182

三、非氧化物高温陶瓷 184

9.1 复合材料的分类 187

第九章 复合材料 187

9.2 颗粒增强复合材料 188

一、弥散强化复合材料 188

二、纯颗粒复合材料 189

9.3 夹层复合材料 189

一、夹层板 189

二、夹芯结构 189

9.4 纤维增强复合材料 191

一、纤维 191

二、纤维增强 191

三、复合材料性能估算 192

四、短纤维复合材料 193

9.5 树脂基复合材料 194

一、特点 194

二、纤维 195

三、基体 196

四、成型工艺 198

五、树脂基复合材料 200

六、混杂纤维复合材料 200

9.6 金属基复合材料 201

一、金属基复合材料的特点 201

二、纤维和基体 201

9.7 陶瓷基复合材料 203