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数理化

  • 电子书积分:18 积分如何计算积分?
  • 作 者:叶良修编著
  • 出 版 社:北京:高等教育出版社
  • 出版年份:2009
  • ISBN:9787040266252
  • 页数:605 页
图书介绍:本书共十七章,分上下两册出版。上册主要涉及一些比较基本的内容,包括结构和结合性质,半导体中的电子状态,载流子的平衡统计,过剩载流子,接触现象,半导体表面和MIS结构,微结构和超晶格,半导体的光吸收,半导体的光发射等十章。下册则收入一些专题,包括载流子的散射,热现象,复杂能带输运,热载流子,强磁场下的输运和磁光现象,半导体中自旋相关的现象,非晶态半导体等七章。本书可供已学过固体物理的大学生、研究生以及有关方面的研究人员阅读、参考。
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《半导体物理学 下》目录

第11章 载流子的散射 1

11.1 散射率 2

11.2 屏蔽库仑势和电离杂质散射 9

11.3 声学波形变势散射 19

11.4 声学波压电散射 27

11.5 光学波形变势散射和等价谷间散射 33

11.6 极性光学波及其散射 42

11.7 等离子体振荡和等离子体激元散射 54

11.8 载流子之间的散射 59

11.9 其它晶格缺陷的散射 63

11.10 半导体中的各种散射机制 66

第11章参考文献 74

第12章 半导体中的热现象 81

12.1 半导体的热导 81

12.2 热电效应及其相互联系 92

12.3 温差电动势率 98

12.4 热磁效应 100

12.5 声子曳引效应 109

第12章参考文献 112

第13章 复杂能带中的输运现象 115

13.1 多谷带的电导、霍尔效应和磁阻 115

13.2 半导体中的压阻效应 123

13.3 声电效应 136

附录13.1 Herring-Vogt变换 146

第13章参考文献 149

第14章 热载流子和相关现象 153

14.1 热载流子和载流子温度模型 154

14.2 能量弛豫机制和能量损失率 162

14.3 蒙特卡罗模拟 176

14.4 和谷间转移相关的热载流子输运现象 191

14.5 雪崩击穿和碰撞电离 197

14.6 热载流子的扩散 207

14.7 激光产生的热载流子的弛豫 211

14.8 研究载流子动态过程的超快光谱方法 220

14.9 量子阱中热载流子的弛豫 234

14.10 量子阱中热激子的动态过程 246

14.11 量子点中电子空穴的弛豫 257

附录14.1 第二类修正贝塞尔函数 271

第14章参考文献 272

第15章 强磁场输运和磁光现象 290

15.1 磁量子化和自旋分裂 290

15.2 纵向振荡磁阻 296

15.3 横向振荡磁阻 302

15.4 量子霍尔效应 311

15.5 回旋共振 323

15.6 磁-声子效应和强微波辐照场下的零磁阻 333

15.7 振荡磁吸收 343

15.8 几种其它磁光效应 353

第15章参考文献 364

第16章 半导体中自旋相关的现象 375

16.1 自旋及其在磁场中的行为 376

16.2 自旋-轨道相互作用 387

16.3 稀磁半导体及其铁磁性 397

16.4 电子自旋的光取向及自旋相关的光学现象 411

16.5 自旋霍尔效应和其它自旋相关的输运现象 424

16.6 自旋极化的电注入和探测 437

16.7 自旋极化的弛豫 449

16.8 核自旋 超精细相互作用 463

16.9 自旋和量子计算 473

16.10 自旋共振和自旋-核双共振在半导体中的应用 487

第16章参考文献 501

第17章 非晶态半导体 522

17.1 非晶态半导体的结构 523

17.2 非晶态半导体中的电子状态 529

17.3 非晶态半导体中的输运现象 539

17.4 非晶态半导体的光吸收 550

17.5 非晶态Si、Ge中的隙态和掺杂效应 558

17.6 硫系非晶态半导体 570

第17章参考文献 582

索引 590

《半导体物理学(上册)》的若干修改 601

感谢 605

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