半导体器件物理与工艺 第3版PDF电子书下载
- 电子书积分:17 积分如何计算积分?
- 作 者:(美)施敏,李明逵著;王明湘,赵鹤鸣译
- 出 版 社:苏州:苏州大学出版社
- 出版年份:2014
- ISBN:9787567205543
- 页数:558 页
第0章 引言 1
0.1半导体器件 1
0.2半导体工艺技术 6
总结 13
参考文献 13
第1部分 半导体物理 16
第1章 能带和热平衡载流子浓度 16
1.1半导体材料 16
1.2基本晶体结构 19
1.3共价键 23
1.4能带 24
1.5本征载流子浓度 29
1.6施主与受主 33
总结 38
参考文献 39
习题 39
第2章 载流子输运现象 43
2.1载流子漂移 43
2.2载流子扩散 50
2.3产生与复合过程 53
2.4连续性方程 58
2.5热离化发射过程 63
2.6隧穿过程 64
2.7空间电荷效应 65
2.8强电场效应 67
总结 71
参考文献 72
习题 73
第2部分 半导体器件 77
第3章 p-n结 77
3.1热平衡状态 77
3.2耗尽区 81
3.3耗尽电容 86
3.4电流-电压特性 90
3.5电荷存储与瞬态响应 99
3.6结击穿 101
3.7异质结 107
总结 109
参考文献 109
习题 110
第4章 双极型晶体管及相关器件 113
4.1晶体管的工作原理 113
4.2双极型晶体管的静态特性 118
4.3双极型晶体管的频率响应与开关特性 125
4.4非理想效应 130
4.5异质结双极型晶体管 133
4.6可控硅器件及相关功率器件 137
总结 144
参考文献 144
习题 145
第5章 MOS电容器及MOSFET 150
5.1理想的MOS电容器 150
5.2 SiO2-Si MOS电容器 157
5.3 MOS电容器中的载流子输运 163
5.4电荷耦合器件 165
5.5 MOSFET基本原理 169
总结 180
参考文献 180
习题 181
第6章 先进的MOSFET及相关器件 183
6.1 MOSFET按比例缩小 183
6.2 CMOS与BiCMOS 194
6.3绝缘层上MOSFET(SOI器件) 199
6.4 MOS存储器结构 203
6.5功率MOSFET 211
总结 212
参考文献 213
习题 214
第7章 MESFET及相关器件 218
7.1金属-半导体接触 218
7.2金半场效应晶体管(MESFET) 228
7.3调制掺杂场效应晶体管(MODFET) 235
总结 240
参考文献 241
习题 242
第8章 微波二极管、量子效应和热电子器件 245
8.1微波频段 245
8.2隧道二极管 246
8.3碰撞离化雪崩渡越时间二极管 248
8.4转移电子器件 251
8.5量子效应器件 256
8.6热电子器件 260
总结 263
参考文献 264
习题 265
第9章 发光二极管和激光器 267
9.1辐射跃迁和光吸收 267
9.2发光二极管 272
9.3发光二极管种类 277
9.4半导体激光器 288
总结 304
参考文献 305
习题 306
第10章 光电探测器和太阳能电池 309
10.1光电探测器 309
10.2太阳能电池 322
10.3硅及化合物半导体太阳能电池 328
10.4第三代太阳能电池 333
10.5聚光 337
总结 338
参考文献 338
习题 340
第3部分 半导体工艺 343
第11章 晶体生长和外延 343
11.1融体中单晶硅的生长 343
11.2硅的悬浮区熔工艺 349
11.3砷化镓晶体的生长技术 352
11.4材料特性表征 356
11.5外延生长技术 362
11.6外延层的结构和缺陷 369
总结 373
参考文献 374
习题 375
第12章 薄膜淀积 378
12.1热氧化 378
12.2化学气相淀积介质 384
12.3化学气相淀积多晶硅 393
12.4原子层淀积 396
12.5金属化 398
总结 408
参考文献 408
习题 409
第13章 光刻与刻蚀 412
13.1光学光刻 412
13.2下一代光刻技术 424
13.3湿法化学腐蚀 429
13.4干法刻蚀 432
总结 444
参考文献 444
习题 446
第14章 杂质掺杂 449
14.1基本扩散工艺 449
14.2非本征扩散 456
14.3扩散相关过程 460
14.4注入离子的分布 462
14.5注入损伤与退火 469
14.6注入相关工艺 474
总结 479
参考文献 480
习题 481
第15章 集成器件 486
15.1无源元件 486
15.2双极型晶体管技术 490
15.3 MOSFET技术 497
15.4 MESFET技术 510
15.5纳电子学的挑战 513
总结 517
参考文献 518
习题 519
附录 522
附录A符号列表 522
附录B国际单位制(SI Units) 524
附录C单位前缀 525
附录D希腊字符表 526
附录E物理常数 527
附录F重要元素及二元化合物半导体材料的特性(300K时) 528
附录G硅和砷化镓的特性(300K时) 529
附录H半导体中态密度的推导 530
附录I间接复合的复合率推导 533
附录J对称共振隧穿二极管透射系数的计算 535
附录K气体的基本动力学理论 537
附录L各章部分习题的参考答案 539
索引 541
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