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第一章 粒子与波动 1

1—1.物理电子学 1

1—2.电荷来源 3

1—3.光的波动性质 5

1—4.光的粒子特性 7

1—5.Compton效应 9

1—6.Einstein之相对方程式 12

1—7.粒子之波动特性 15

1—8.波动力学，Heisenberg之不准确原理 19

2—1.Planck之量子假说 24

第二章 原子结构 24

2—2.光谱数据，Bohr之假定 27

2—3.氢光谱 29

2—4.Sommerfeld之椭圆轨道原子模型 33

2—5.咸金属之光谱 39

2—6.X线之吸收光谱与发射光谱 43

2—7.一般光谱 47

2—8.Zeeman效应与Pauli之不相容原理 50

第三章 晶体结构 56

3—1.晶系之分类 56

3—2.晶体之密结构 59

3—3.结晶内力与固体之分类 62

3—4.晶体内原子能阶之分劈 65

3—5.晶体之区域结构 69

第四章 几种重要晶型与固体之电子结构 79

4—1.金属晶体 79

4—2.游子晶体 86

4—3.价晶体 97

4—4.同体之电子结构与导电性质之关系 102

4—5.金属之？由电子理论 106

第五章 统计力学 111

5—1.统计力学与分布函数 111

5—2.古典与半古典统计学 115

5—3.量子统计学 124

5—4.自由电子之平均能量及比热 130

5—5.Sommerfeld模型之表面现象 134

5—6.脱出电子之分布函数 139

5—7.分布函数之衰颓性 143

第六章 自由电子运动之导电及碰撞性质 148

6—1.电子移动率 148

6—2.Boltzmann之况状方程式；Lorentz之解法 151

6—3.金属之导电系数 157

6—4.格子振动 162

6—5.自由电子之热散射 165

6—6.低温时之导电系数 169

6—7.热振动与热膨胀 172

6—8.金属之导热系数 175

6—9.接触面上之热平衡 180

第七章 半导体 185

7—1.本质半导体 185

7—2.外质半导体 187

7—3.两种典型外质半导体 190

7—4.半导体之自由电子理论 195

7—5.各种半导体内Fermi平面之位置 199

7—6.平衡浓度及少数载体之寿命 204

7—7.少数载体之扩散 208

7—8.电子与电洞之有效质量 212

7—9.Hall效应 215

第八章 热游子发射与场发射 223

8—1.热游子发射 223

8—2.Schottky效应，场发射 228

8—3.金属阴极与原子膜阴极 234

8—4.涂氧化物阴极 237

8—5.热游子二极真空管之空间电荷 242

8—6.热游子二极真空管之特性 247

8—7.热游子三极真空管之特性 253

8—8.噪音问题 259

第九章 光电发射与二次发射 265

9—1.光电发射 265

9—2.容积光电效应 269

9—3.高产量光电阴极 274

9—2.二次电子发射 277

9—5.二次电子之脱出机构与产生机构 282

9—6.Whiddington定律 287

9—7.高产量二次发射靶子 291

9—8.二次发射对于真空管之影响 294

9—9.光电倍增器 299

第十章 障壁层整流 305

10—1.金属半导体接触 305

10—2.金属半导体整流器 311

10—3.金属半导体接触整流之特性 317

10—4.若干功率金属半导体整流器 322

10—5.点触整流器 326

10—6.金属半导体整之流器应用 329

第十一章 p-n接合二极体 334

11—1.p-n接合二极体 334

11—2.p-n接合之整流特性 340

11—3.接合二极体之等值电路 344

11—4.过渡区域内之破裂现象 350

11—5.p-n接合材料之调制 353

11—6.若干不同p-n接合二极体 361

第十二章 电晶体 368

12—1.接合三极体 368

12—2.电晶体之直流特性 372

12—3.电晶体之交流特性 375

12—4.底电阻与收集极电容 383

12—5.底宽度调幅，贯穿效应 386

12—6.底区域内其他若干因素之影响 391

12—7.收集极点触之电流放大 397

12—8.崩裂性放大与p-n钩形放大 401

12—9.功率放大，较高温度下电晶体之运用 407

第十三章 电晶体电路 412

13—1.电晶体等值电路之几种模型 412

13—2.底接地联接 418

13—3.发射极接地联接 423

13—4.收集极接地联接 426

13—5.电晶体振荡器 429

13—6.特殊电晶体电路 436

13—7.比量电晶体电路 437

第十四章 半导体内之光效应 442

14—1.p-n接合与金属半导体接触内之光效应 442

14—2.实用光电电池 445

14—3.弱光信号检波器 449

14—4.日光蓄电池与原子蓄电池 453

14—5.光导电 458

14—6.光导电动力学 464

14—7.实用光电导体 469

第十五章 固体之发光 475

15—1.发光及发光固体 475

15—2.特性发光 479

15—3.非特性发光 484

15—4.发光之效率 487

15—5.光发光与阴极发光 489

15—6.电发光 494

15—7.光放大器 498

第十六章 导体与半导体内之热效应 507

16—1.固体之热性质 507

16—2.白炽光源之发射 510

16—3.热电阻体 513

16—4.热体辐射及其温度之测量 519

16—5.Thomson效应，Peltier效应及Seebeck效应 527

16—6.热电电路之计算 532

16—7.热电偶及其应用 536

第十七章 绝缘体之电性 539

17—1.固体内之格子缺陷 539

17—2.固体内格子缺陷之扩散 545

17—3.绝缘体之游子导电系数 550

17—4.真空容电器之充电 556

17—5.介质之极化 560

17—6.局部电场之计算 565

17—7.介质损失 569

17—8.固体介质之电破裂 574

17—9.电变阻体 578

第十八章 电性材料及其应用 581

18—1.强电性 581

18—2.强电性材料之分类 583

18—3.强电性之理论 589

18—4.极化之变迁及晶区理论 593

18—5.强电性物质之滞后现象 598

18—6.强电性记忆装置 601

18—7.介质放大器 604

18—8.双极摆动与介质吸收 608

18—9.对于介质设计之标准 615

18—10.介质加热 617

第十九章 磁性理论 626

19—1.磁性物质之极化 626

19—2.反磁性与顺磁性 628

19—3.强磁性 634

19—4.反强磁性与铁磁性 643

19—5.强磁性晶区理论 653

19—6.强磁性物质之滞后现象 657

19—7.磁变阻体 661

20—1.永久磁石 668

第二十章 磁性材料及其应用 668

20—2.高周率感体 673

20—3.强磁性记忆装置 676

20—4.磁放大器 681

20—5.自转谐振 685

20—6.强磁性谐振 691

20—7.回转器 694

20—8.激射微波放大器 699

第二十一章 金属之超导电性 704

21—1.超导电性 704

21—2.超导电之理论 710

21—3.高周率时之超导电性 717

21—4.球超导电性与粒子大小之影响 719

21—5.中间况状与晶区结构 722

21—6.超导电性之应用 725

第二十二章 固体内之机械力效应 729

22—1.晶体内应力与应变之关系 729

22—2.固体应变时之能量关系 734

22—3.压电效应 741

22—4.片状压电物质之特性 749

22—5.压电物质及其应用 756

22—6.电伸缩效应 760

22—7.BaTiO3内之电伸缩效应 767

22—8.磁伸缩效应 773